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FP50R07N2E4BOSA1

FP50R07N2E4BOSA1

참조 용

부품 번호 FP50R07N2E4BOSA1
PNEDA 부품 번호 FP50R07N2E4BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 50A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FP50R07N2E4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP50R07N2E4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FP50R07N2E4BOSA1, FP50R07N2E4BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 740.57 KB)
PDFFP50R07N2E4BOSA1 데이터 시트 표지
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FP50R07N2E4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.1nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

전류-수집기 차단 (최대)

80µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.59nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Global Power Technologies Group

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전력-최대

380W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 80A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.44nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

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IGBT 유형

-

구성

Three Phase

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

333W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

3µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

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