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FQB45N15V2TM

FQB45N15V2TM

참조 용

부품 번호 FQB45N15V2TM
PNEDA 부품 번호 FQB45N15V2TM
설명 MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,436
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 16 - 4월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQB45N15V2TM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQB45N15V2TM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • FQB45N15V2TM Distributor

FQB45N15V2TM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs40mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs94nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3030pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 370µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

89W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

280mW (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

제조업체

IXYS

시리즈

Polar™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

PCFQ17P10W

MICROSS/On Semiconductor

제조업체

MICROSS/On Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 310µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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