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FQD5N20TF

FQD5N20TF

참조 용

부품 번호 FQD5N20TF
PNEDA 부품 번호 FQD5N20TF
설명 MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQD5N20TF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQD5N20TF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQD5N20TF, FQD5N20TF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 695.88 KB)
PDFFQD5N20TF 데이터 시트 표지
FQD5N20TF 데이터 시트 페이지 2 FQD5N20TF 데이터 시트 페이지 3 FQD5N20TF 데이터 시트 페이지 4 FQD5N20TF 데이터 시트 페이지 5 FQD5N20TF 데이터 시트 페이지 6 FQD5N20TF 데이터 시트 페이지 7 FQD5N20TF 데이터 시트 페이지 8 FQD5N20TF 데이터 시트 페이지 9

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FQD5N20TF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.5nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds270pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

850mW (Ta), 20W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

CPT3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TP65H035WS

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제조업체

Transphorm

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

46.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

12V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

41mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

VMO80-05P1

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

ECO-PAC2

패키지 / 케이스

ECO-PAC2

AOWF15S60

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

aMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

717pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

27.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

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TSM340N06CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1180pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

27W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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