FQI9N50TU
참조 용
| 부품 번호 | FQI9N50TU |
| PNEDA 부품 번호 | FQI9N50TU |
| 설명 | MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,928 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 25 - 4월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FQI9N50TU 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FQI9N50TU |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FQI9N50TU 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | QFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1450pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | I2PAK (TO-262) |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 17.6mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.8nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 295pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 HUML2020L8 패키지 / 케이스 8-PowerUDFN |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V Vgs (최대) 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 495pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.75W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-TSOP 패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1090pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 44W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Ta), 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2960pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 110nC @ 5V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5080pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 200W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
