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FQP10N60C

FQP10N60C

참조 용

부품 번호 FQP10N60C
PNEDA 부품 번호 FQP10N60C
설명 MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,202
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
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FQP10N60C 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQP10N60C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQP10N60C, FQP10N60C 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,470.56 KB)
PDFFQPF10N60CT 데이터 시트 표지
FQPF10N60CT 데이터 시트 페이지 2 FQPF10N60CT 데이터 시트 페이지 3 FQPF10N60CT 데이터 시트 페이지 4 FQPF10N60CT 데이터 시트 페이지 5 FQPF10N60CT 데이터 시트 페이지 6 FQPF10N60CT 데이터 시트 페이지 7 FQPF10N60CT 데이터 시트 페이지 8 FQPF10N60CT 데이터 시트 페이지 9 FQPF10N60CT 데이터 시트 페이지 10 FQPF10N60CT 데이터 시트 페이지 11

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FQP10N60C 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs57nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2040pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)156W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3
패키지 / 케이스TO-220-3

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

61mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

14.8W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-HSMT (3.2x3)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

STB19NM65N

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 7.75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFHM9331TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 11A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1543pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PQFN (3x3)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ P7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

130pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223

패키지 / 케이스

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SSM6J771G,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVI

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 8.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 3A, 8.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1mA, 3V

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

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