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FQT13N06TF

FQT13N06TF

참조 용

부품 번호 FQT13N06TF
PNEDA 부품 번호 FQT13N06TF
설명 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQT13N06TF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQT13N06TF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQT13N06TF, FQT13N06TF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 860.75 KB)
PDFFQT13N06TF 데이터 시트 표지
FQT13N06TF 데이터 시트 페이지 2 FQT13N06TF 데이터 시트 페이지 3 FQT13N06TF 데이터 시트 페이지 4 FQT13N06TF 데이터 시트 페이지 5 FQT13N06TF 데이터 시트 페이지 6 FQT13N06TF 데이터 시트 페이지 7 FQT13N06TF 데이터 시트 페이지 8 FQT13N06TF 데이터 시트 페이지 9 FQT13N06TF 데이터 시트 페이지 10

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FQT13N06TF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs140mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.5nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds310pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.1W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-223-4
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4690pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

71W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

APT8024LLLG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 15.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4670pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

565W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

APT10078SLLG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

780mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2525pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

403W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D3 [S]

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

SPI07N60S5HKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 350µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

970pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3-1

패키지 / 케이스

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STF2N95K5

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제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

950V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

105pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

20W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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