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FS100R12KT4GBOSA1

FS100R12KT4GBOSA1

참조 용

부품 번호 FS100R12KT4GBOSA1
PNEDA 부품 번호 FS100R12KT4GBOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 100A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,430
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예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS100R12KT4GBOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS100R12KT4GBOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FS100R12KT4GBOSA1, FS100R12KT4GBOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 505.66 KB)
PDFFS100R12KT4GBOSA1 데이터 시트 표지
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FS100R12KT4GBOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전력-최대515W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce6.3nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

570A

전력-최대

2250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

22nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

6MS10017E41W36460BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-25°C ~ 55°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

125A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

VS-GB100TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

1136W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.45nF @ 20V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

FAM65HR51DS2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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