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FS200R12KT4RB11BOSA1

FS200R12KT4RB11BOSA1

참조 용

부품 번호 FS200R12KT4RB11BOSA1
PNEDA 부품 번호 FS200R12KT4RB11BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 200A
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $392.7557
50 ---------- $374.3453
100 ---------- $355.9349
200 ---------- $337.5244
400 ---------- $322.1824
500 ---------- $306.8404
재고 있음 8,805
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FS200R12KT4RB11BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS200R12KT4RB11BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FS200R12KT4RB11BOSA1, FS200R12KT4RB11BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 709.42 KB)
PDFFS200R12KT4RB11BOSA1 데이터 시트 표지
FS200R12KT4RB11BOSA1 데이터 시트 페이지 2 FS200R12KT4RB11BOSA1 데이터 시트 페이지 3 FS200R12KT4RB11BOSA1 데이터 시트 페이지 4 FS200R12KT4RB11BOSA1 데이터 시트 페이지 5 FS200R12KT4RB11BOSA1 데이터 시트 페이지 6 FS200R12KT4RB11BOSA1 데이터 시트 페이지 7 FS200R12KT4RB11BOSA1 데이터 시트 페이지 8 FS200R12KT4RB11BOSA1 데이터 시트 페이지 9

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  • FS200R12KT4RB11BOSA1 Distributor

FS200R12KT4RB11BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)280A
전력-최대1000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce14nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

145A

전력-최대

480W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.21nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E3

공급자 장치 패키지

E3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

270W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

2.7mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.5nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E3

공급자 장치 패키지

E3

FS50R12KT4B15BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoPACK™2

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

280W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-CPV364M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

27A

전력-최대

63W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.2nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

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