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FS200R12PT4BOSA1

FS200R12PT4BOSA1

참조 용

부품 번호 FS200R12PT4BOSA1
PNEDA 부품 번호 FS200R12PT4BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 200A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,730
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS200R12PT4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS200R12PT4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FS200R12PT4BOSA1, FS200R12PT4BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 811.91 KB)
PDFFS200R12PT4BOSA1 데이터 시트 표지
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  • FS200R12PT4BOSA1 Distributor

FS200R12PT4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)280A
전력-최대1000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce14nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Powerex Inc.

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

1560W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

52.8nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전력-최대

220W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.95nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

FS225R12KE4BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoPACK™+

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

320A

전력-최대

1100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 225A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF1000R17IE4PBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1000A

전력-최대

1000000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APT200GN60JDQ4G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

283A

전력-최대

682W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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