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FS50R17KE3B17BOSA1

FS50R17KE3B17BOSA1

참조 용

부품 번호 FS50R17KE3B17BOSA1
PNEDA 부품 번호 FS50R17KE3B17BOSA1
설명 MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,168
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS50R17KE3B17BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS50R17KE3B17BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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FS50R17KE3B17BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)82A
전력-최대345W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce4.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전력-최대

390W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 77A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E3

공급자 장치 패키지

E3

FF400R12KE3B2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

580A

전력-최대

2000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

CM200DY-12NF

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

650W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

30nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

F3L400R12PT4B26BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

2150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

25nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB100LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

658W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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