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FST6310M

FST6310M

참조 용

부품 번호 FST6310M
PNEDA 부품 번호 FST6310M
설명 DIODE SCHOTTKY 10V 30A D61-3M
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,236
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 3 - 5월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FST6310M 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FST6310M
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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FST6310M 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)10V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)30A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If700mV @ 30A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 10V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D61-3M
공급자 장치 패키지D61-3M

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

645mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

740mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 80V

작동 온도-접합

175°C (Max)

장착 유형

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

8A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

55ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

160A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 160A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

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-

다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

270A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 600A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

40mA @ 1600V

작동 온도-접합

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