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FT24C08A-USR-B

FT24C08A-USR-B

참조 용

부품 번호 FT24C08A-USR-B
PNEDA 부품 번호 FT24C08A-USR-B
설명 IC EEPROM 8K I2C 1MHZ 8SOP
제조업체 Fremont Micro Devices Ltd
단가 견적 요청
재고 있음 2,214
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FT24C08A-USR-B 리소스

브랜드 Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FT24C08A-USR-B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
FT24C08A-USR-B, FT24C08A-USR-B 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 315.68 KB)
PDFFT24C04A-ETR-T 데이터 시트 표지
FT24C04A-ETR-T 데이터 시트 페이지 2 FT24C04A-ETR-T 데이터 시트 페이지 3 FT24C04A-ETR-T 데이터 시트 페이지 4 FT24C04A-ETR-T 데이터 시트 페이지 5 FT24C04A-ETR-T 데이터 시트 페이지 6 FT24C04A-ETR-T 데이터 시트 페이지 7 FT24C04A-ETR-T 데이터 시트 페이지 8 FT24C04A-ETR-T 데이터 시트 페이지 9 FT24C04A-ETR-T 데이터 시트 페이지 10 FT24C04A-ETR-T 데이터 시트 페이지 11

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FT24C08A-USR-B 사양

제조업체Fremont Micro Devices Ltd
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기8Kb (1K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간550ns
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

24Gb (768M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-VFBGA

공급자 장치 패키지

200-VFBGA (10x14.5)

CY7C1351S-100AXCT

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

NAND02GAH0LZC5E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-LFBGA

공급자 장치 패키지

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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