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FT25C08A-USR-T

FT25C08A-USR-T

참조 용

부품 번호 FT25C08A-USR-T
PNEDA 부품 번호 FT25C08A-USR-T
설명 IC EEPROM 8K SPI 20MHZ 8SOP
제조업체 Fremont Micro Devices Ltd
단가 견적 요청
재고 있음 4,590
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FT25C08A-USR-T 리소스

브랜드 Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FT25C08A-USR-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
FT25C08A-USR-T, FT25C08A-USR-T 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 398.78 KB)
PDFFT25C08A-UTR-B 데이터 시트 표지
FT25C08A-UTR-B 데이터 시트 페이지 2 FT25C08A-UTR-B 데이터 시트 페이지 3 FT25C08A-UTR-B 데이터 시트 페이지 4 FT25C08A-UTR-B 데이터 시트 페이지 5 FT25C08A-UTR-B 데이터 시트 페이지 6 FT25C08A-UTR-B 데이터 시트 페이지 7 FT25C08A-UTR-B 데이터 시트 페이지 8 FT25C08A-UTR-B 데이터 시트 페이지 9 FT25C08A-UTR-B 데이터 시트 페이지 10 FT25C08A-UTR-B 데이터 시트 페이지 11

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FT25C08A-USR-T 사양

제조업체Fremont Micro Devices Ltd
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기8Kb (1K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

IDT71V65602S150PF

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

709269L12PFI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

12ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

71V67903S85PFG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

87MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

AT29LV020-20TU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ms

접근 시간

200ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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