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FZ1200R12KF4NOSA1

FZ1200R12KF4NOSA1

참조 용

부품 번호 FZ1200R12KF4NOSA1
PNEDA 부품 번호 FZ1200R12KF4NOSA1
설명 IGBT MODULE 1200V 1200A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FZ1200R12KF4NOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FZ1200R12KF4NOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FZ1200R12KF4NOSA1, FZ1200R12KF4NOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 239.2 KB)
PDFFZ1200R12KF4NOSA1 데이터 시트 표지
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  • FZ1200R12KF4NOSA1 Distributor

FZ1200R12KF4NOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력-
NTC 서미스터-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
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전력-최대

543W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 70A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

340W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

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장착 유형

Chassis Mount

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

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Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

27A

전력-최대

94W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FMG1G100US60L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.84nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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BSM35GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

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구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

280W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

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