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FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1

참조 용

부품 번호 FZ800R12KS4B2NOSA1
PNEDA 부품 번호 FZ800R12KS4B2NOSA1
설명 MODULE IGBT A-IHM130-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,280
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 17 - 11월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FZ800R12KS4B2NOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FZ800R12KS4B2NOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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FZ800R12KS4B2NOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)1200A
전력-최대7600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce52nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

1040W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

6mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

APTGF165DA60D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

230A

전력-최대

730W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

FF600R17ME4PB11BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FMG1G50US60H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.46nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

7PM-GA

공급자 장치 패키지

7PM-GA

IRG7T100HF12B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

680W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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