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FZT655TC

FZT655TC

참조 용

부품 번호 FZT655TC
PNEDA 부품 번호 FZT655TC
설명 TRANS NPN 150V 1A SOT223
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 2,016
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 20 - 11월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FZT655TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FZT655TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FZT655TC, FZT655TC 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 268.6 KB)
PDFFZT655TC 데이터 시트 표지
FZT655TC 데이터 시트 페이지 2 FZT655TC 데이터 시트 페이지 3 FZT655TC 데이터 시트 페이지 4 FZT655TC 데이터 시트 페이지 5 FZT655TC 데이터 시트 페이지 6 FZT655TC 데이터 시트 페이지 7

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FZT655TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 500mA, 5V
전력-최대2W
주파수-전환30MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

2N3506L

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

ZTX688B

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 20mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

500 @ 100mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

2N5014

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-5

2N6427_D75Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500µA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

14000 @ 500mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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