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FZT857TC

FZT857TC

참조 용

부품 번호 FZT857TC
PNEDA 부품 번호 FZT857TC
설명 TRANS NPN 300V 3.5A SOT223
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 5,832
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FZT857TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FZT857TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
FZT857TC, FZT857TC 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 440.57 KB)
PDFFZT857TC 데이터 시트 표지
FZT857TC 데이터 시트 페이지 2 FZT857TC 데이터 시트 페이지 3 FZT857TC 데이터 시트 페이지 4 FZT857TC 데이터 시트 페이지 5 FZT857TC 데이터 시트 페이지 6 FZT857TC 데이터 시트 페이지 7

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FZT857TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic345mV @ 600mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대)50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 10V
전력-최대3W
주파수-전환80MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

KSA1013YBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 200mA, 5V

전력-최대

900mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92-3

ZTX789ASTZ

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

2SC6042,T2HOSH1Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

375V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 800mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-71

공급자 장치 패키지

MSTM

MMBT5401LT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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