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GB02SHT06-46

GB02SHT06-46

참조 용

부품 번호 GB02SHT06-46
PNEDA 부품 번호 GB02SHT06-46
설명 DIODE SCHOTTKY 600V 4A
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,478
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GB02SHT06-46 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GB02SHT06-46
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
GB02SHT06-46, GB02SHT06-46 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 371.73 KB)
PDFGB02SHT06-46 데이터 시트 표지
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  • GB02SHT06-46 Distributor

GB02SHT06-46 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)4A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.6V @ 1A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F76pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-46
작동 온도-접합-55°C ~ 225°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 2.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

CD1005-B0130L

Bourns

제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

440mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1005 (2512 Metric)

공급자 장치 패키지

1005

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

MBR10150ULPS-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277B

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

SBRT20M60SP5-7D

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

TrenchSBR

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

180µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerDI™ 5

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 5

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MBRF16H45HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

660mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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