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GB10SLT12-247D

GB10SLT12-247D

참조 용

부품 번호 GB10SLT12-247D
PNEDA 부품 번호 GB10SLT12-247D
설명 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,868
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GB10SLT12-247D 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GB10SLT12-247D
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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  • GB10SLT12-247D Distributor

GB10SLT12-247D 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)12A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.9V @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 1200V
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.27V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 300V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

980mV @ 120A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 150V

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-

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다이오드 유형

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20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

770mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

700µA @ 100V

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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2 Independent

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.35V @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

125ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1200V

작동 온도-접합

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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