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GBU10M

GBU10M

참조 용

부품 번호 GBU10M
PNEDA 부품 번호 GBU10M
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가
1 ---------- $16.6898
100 ---------- $15.9075
250 ---------- $15.1251
500 ---------- $14.3428
750 ---------- $13.6908
1,000 ---------- $13.0389
재고 있음 83
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GBU10M 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBU10M
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBU10M, GBU10M 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 1,331.62 KB)
PDFGBU10M 데이터 시트 표지
GBU10M 데이터 시트 페이지 2 GBU10M 데이터 시트 페이지 3

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GBU10M 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)1kV
전류-평균 정류 (Io)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 10A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 20A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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기술

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전압-피크 역방향 (최대)

1.6kV

전류-평균 정류 (Io)

110A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 17.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-Square, GBPC-W

공급자 장치 패키지

GBPC-W

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3.14A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 165°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBPM

공급자 장치 패키지

KBPM

KBPC2502W

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 12.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-Square, KBPC-W

공급자 장치 패키지

KBPC-W

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