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GBU4B-E3/51

GBU4B-E3/51

참조 용

부품 번호 GBU4B-E3/51
PNEDA 부품 번호 GBU4B-E3-51
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBU
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 10,104
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 9 - 1월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GBU4B-E3/51 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBU4B-E3/51
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBU4B-E3/51, GBU4B-E3/51 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 89.64 KB)
PDFGBU4A-E3/45 데이터 시트 표지
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  • GBU4B-E3/51 Distributor

GBU4B-E3/51 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 4A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 7.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

공급자 장치 패키지

GBU

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-Circular, WOG

공급자 장치 패키지

WOG

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Comchip Technology

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Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 17.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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