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GBU4B

GBU4B

참조 용

부품 번호 GBU4B
PNEDA 부품 번호 GBU4B_156
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBU
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 14,952
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GBU4B 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBU4B
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBU4B, GBU4B 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 617.84 KB)
PDFGBU4D 데이터 시트 표지
GBU4D 데이터 시트 페이지 2 GBU4D 데이터 시트 페이지 3

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GBU4B 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 4A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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다이오드 유형

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기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 750mA

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBL

공급자 장치 패키지

GBL

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시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 2A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBP

공급자 장치 패키지

KBP

TS8P07GHD2G

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 8A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, TS-6P

공급자 장치 패키지

TS-6P

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBJL

공급자 장치 패키지

KBJL

GBU805HD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 8A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

공급자 장치 패키지

GBU

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