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GBU4K-E3/45

GBU4K-E3/45

참조 용

부품 번호 GBU4K-E3/45
PNEDA 부품 번호 GBU4K-E3-45
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBU
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $10.8447
100 ---------- $10.3363
250 ---------- $9.8280
500 ---------- $9.3196
750 ---------- $8.8960
1,000 ---------- $8.4724
재고 있음 2,731
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GBU4K-E3/45 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBU4K-E3/45
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBU4K-E3/45, GBU4K-E3/45 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 89.64 KB)
PDFGBU4A-E3/45 데이터 시트 표지
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  • GBU4K-E3/45 Distributor

GBU4K-E3/45 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 4A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 800V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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기술

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전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 7.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 17.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBU

공급자 장치 패키지

KBU

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBL

공급자 장치 패키지

KBL

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Three Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

QC Terminal

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