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GBU4M-M3/51

GBU4M-M3/51

참조 용

부품 번호 GBU4M-M3/51
PNEDA 부품 번호 GBU4M-M3-51
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GBU4M-M3/51 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBU4M-M3/51
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBU4M-M3/51, GBU4M-M3/51 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 91.65 KB)
PDFGBU4M-M3/45 데이터 시트 표지
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GBU4M-M3/51 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)1kV
전류-평균 정류 (Io)4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 4A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 7.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

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기술

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전압-피크 역방향 (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-

장착 유형

-

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전압-피크 역방향 (최대)

1.4kV

전류-평균 정류 (Io)

37A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.55V @ 150A

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 1400V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

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기술

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전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

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기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 15A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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