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GBU6J

GBU6J

참조 용

부품 번호 GBU6J
PNEDA 부품 번호 GBU6J
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가
1 ---------- $8.5674
100 ---------- $8.1658
250 ---------- $7.7642
500 ---------- $7.3626
750 ---------- $7.0280
1,000 ---------- $6.6933
재고 있음 742
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GBU6J 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBU6J
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBU6J, GBU6J 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 988.83 KB)
PDFGBU6M 데이터 시트 표지
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GBU6J 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 6A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

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기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3.14A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 165°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBPM

공급자 장치 패키지

KBPM

DF08MA-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-EDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

DFM

VS-KBPC108

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

-

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

D-72

VUM33-06PH

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제조업체

IXYS

시리즈

*

다이오드 유형

-

기술

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

TS15P07GHD2G

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 15A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TS-6P

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