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GBU6J-1M3/51

GBU6J-1M3/51

참조 용

부품 번호 GBU6J-1M3/51
PNEDA 부품 번호 GBU6J-1M3-51
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.8A GBU
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,310
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GBU6J-1M3/51 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBU6J-1M3/51
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기

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GBU6J-1M3/51 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)3.8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 6A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

GBU

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBL

공급자 장치 패키지

GBL

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GeneSiC Semiconductor

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Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 7.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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기술

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전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBJ

공급자 장치 패키지

GBJ

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

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전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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