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GBU8M

GBU8M

참조 용

부품 번호 GBU8M
PNEDA 부품 번호 GBU8M_156
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가
1 ---------- $1.2919
250 ---------- $1.2313
500 ---------- $1.1708
1,000 ---------- $1.1102
2,500 ---------- $1.0598
5,000 ---------- $1.0093
재고 있음 2,030
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GBU8M 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBU8M
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBU8M, GBU8M 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 648.95 KB)
PDFGBU8M 데이터 시트 표지
GBU8M 데이터 시트 페이지 2 GBU8M 데이터 시트 페이지 3 GBU8M 데이터 시트 페이지 4 GBU8M 데이터 시트 페이지 5 GBU8M 데이터 시트 페이지 6

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GBU8M 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)1kV
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 8A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 500mA

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 100V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBJ

공급자 장치 패키지

GBJ

KBP06ML-6161E4/51

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1.57A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBPM

공급자 장치 패키지

KBPM

GBJ2506-BP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 12.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBJ

공급자 장치 패키지

GBJ

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

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