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GDZ6V8B-HG3-18

GDZ6V8B-HG3-18

참조 용

부품 번호 GDZ6V8B-HG3-18
PNEDA 부품 번호 GDZ6V8B-HG3-18
설명 DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GDZ6V8B-HG3-18 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GDZ6V8B-HG3-18
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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  • GDZ6V8B-HG3-18 Distributor

GDZ6V8B-HG3-18 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)6.8V
공차±2%
전력-최대200mW
임피던스 (최대) (Zzt)40 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 3.5V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323

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공차

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전력-최대

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임피던스 (최대) (Zzt)

725 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 136.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

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14V

공차

±3%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 10V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 9.12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

48 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

220.5V

공차

±5.66%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

900 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 160V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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