GKN240/12
참조 용
| 부품 번호 | GKN240/12 |
| PNEDA 부품 번호 | GKN240-12 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205 |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,538 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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GKN240/12 리소스
| 브랜드 | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | GKN240/12 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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GKN240/12 사양
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 320A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.4V @ 60A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 60mA @ 1200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Chassis, Stud Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-205AB, DO-9, Stud |
| 공급자 장치 패키지 | DO-205AB, DO-9 |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 180°C |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 SUPERECTIFIER® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 500mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 500mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 7pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AA (Glass) 공급자 장치 패키지 DO-213AA (GL34) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.15V @ 2.5A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB (SMC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 680mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 45V 전류-평균 정류 (Io) 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 680mV @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.5mA @ 35V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 30A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 30A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1.1mA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 860pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 PG-TO247-3 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
