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GL34BHE3/98

GL34BHE3/98

참조 용

부품 번호 GL34BHE3/98
PNEDA 부품 번호 GL34BHE3-98
설명 DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,622
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GL34BHE3/98 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GL34BHE3/98
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
GL34BHE3/98, GL34BHE3/98 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 76.66 KB)
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  • GL34BHE3/98 Distributor

GL34BHE3/98 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈SUPERECTIFIER®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)500mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 500mA
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)1.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F4pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AA (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AA (GL34)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AR, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AR

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

MBRB7H45HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

STPS5H100SF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

ECOPACK®2

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

8µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

175°C (Max)

MB3035S-E3/8W

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

980pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

S70B

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

70A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 70A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-65°C ~ 180°C

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