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GMM3X100-01X1-SMD

GMM3X100-01X1-SMD

참조 용

부품 번호 GMM3X100-01X1-SMD
PNEDA 부품 번호 GMM3X100-01X1-SMD
설명 MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,982
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GMM3X100-01X1-SMD 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GMM3X100-01X1-SMD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GMM3X100-01X1-SMD, GMM3X100-01X1-SMD 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 334.04 KB)
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GMM3X100-01X1-SMD 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지24-SMD

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

780pF @ 16V

전력-최대

2W

작동 온도

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

32pF @ 25V

전력-최대

580mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A, 5.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

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PowerPAK® SO-8 Dual

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc), 54A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V, 40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V

전력-최대

27W (Tc), 48W (Tc)

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