GP30KHE3/73
참조 용
| 부품 번호 | GP30KHE3/73 |
| PNEDA 부품 번호 | GP30KHE3-73 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,006 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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GP30KHE3/73 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | GP30KHE3/73 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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GP30KHE3/73 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | SUPERECTIFIER® |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 800V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 3A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 5µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 800V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-201AD, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-201AD |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 920mV @ 20A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 700µA @ 80V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 공급자 장치 패키지 TO-262AA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 15A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.1V @ 15A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 40ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220-2 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 T-18, Axial 공급자 장치 패키지 TS-1 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 8A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 8A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 310pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
