GSIB660N-M3/45
참조 용
| 부품 번호 | GSIB660N-M3/45 |
| PNEDA 부품 번호 | GSIB660N-M3-45 |
| 설명 | BRIDGE RECT 1P 600V 6A GSIB-5S |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,676 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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GSIB660N-M3/45 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | GSIB660N-M3/45 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 브리지 정류기 |
| 데이터 시트 |
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GSIB660N-M3/45 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Single Phase |
| 기술 | Standard |
| 전압-피크 역방향 (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 6A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 950mV @ 3A |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 600V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 4-SIP, GSIB-5S |
| 공급자 장치 패키지 | GSIB-5S |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Single Phase 기술 Standard 전압-피크 역방향 (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 25A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 12.5A 전류-역방향 누설 @ Vr - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 4-Square, GBPC-W 공급자 장치 패키지 GBPC-W |
