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GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

참조 용

부품 번호 GSID200A120S3B1
PNEDA 부품 번호 GSID200A120S3B1
설명 SILICON IGBT MODULES
제조업체 Global Power Technologies Group
단가 견적 요청
재고 있음 4,032
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GSID200A120S3B1 리소스

브랜드 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GSID200A120S3B1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
GSID200A120S3B1, GSID200A120S3B1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 327.4 KB)
PDFGSID200A120S3B1 데이터 시트 표지
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  • GSID200A120S3B1 Distributor

GSID200A120S3B1 사양

제조업체Global Power Technologies Group
시리즈Amp+™
IGBT 유형-
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)400A
전력-최대1595W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce20nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D-3 Module
공급자 장치 패키지D3

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Infineon Technologies

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IGBT 유형

-

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

340A

전력-최대

800W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11.9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전력-최대

73W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.935nF @ 30V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

25PM-AA

공급자 장치 패키지

25PM-AA

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

43A

전력-최대

160W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

400µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.81nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E1

공급자 장치 패키지

E1

FS10R12YE3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전력-최대

187W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.66V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.95nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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