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GWM100-01X1-SMDSAM

GWM100-01X1-SMDSAM

참조 용

부품 번호 GWM100-01X1-SMDSAM
PNEDA 부품 번호 GWM100-01X1-SMDSAM
설명 MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GWM100-01X1-SMDSAM 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GWM100-01X1-SMDSAM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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GWM100-01X1-SMDSAM 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A, 13.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 15V

전력-최대

1.9W, 2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17pF @ 25V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V, 50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

340mA, 180mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V, 8Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA, 2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40pF, 30pF @ 10V, 5V

전력-최대

150mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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2 N-Channel (Dual)

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Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA (Ta), 590mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

300mW, 270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Vgs (th) (최대) @ Id

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