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GWM120-0075P3-SL

GWM120-0075P3-SL

참조 용

부품 번호 GWM120-0075P3-SL
PNEDA 부품 번호 GWM120-0075P3-SL
설명 MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GWM120-0075P3-SL 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GWM120-0075P3-SL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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GWM120-0075P3-SL 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)118A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs100nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 20V

전력-최대

46W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

325mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 25V

전력-최대

1.1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

188pF @ 10V

전력-최대

650mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

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AON6912A

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FET 유형

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A, 13.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 15V

전력-최대

1.9W, 2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

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