GWS4618L
참조 용
| 부품 번호 | GWS4618L |
| PNEDA 부품 번호 | GWS4618L |
| 설명 | MOSFET N-CH LGA |
| 제조업체 | Renesas Electronics America Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,014 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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GWS4618L 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | GWS4618L |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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GWS4618L 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| 기술 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1645pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 250W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-262 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 210mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.65V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 10mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 310mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-723 패키지 / 케이스 SOT-723 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 25pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 200mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SMT3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A (Ta), 95A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2880pF @ 13V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ SQ 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric SQ |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 540pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 750mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
