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H11A1VM

H11A1VM

참조 용

부품 번호 H11A1VM
PNEDA 부품 번호 H11A1VM
설명 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,322
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

H11A1VM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11A1VM
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11A1VM, H11A1VM 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 257.75 KB)
PDFH11A3FR2VM 데이터 시트 표지
H11A3FR2VM 데이터 시트 페이지 2 H11A3FR2VM 데이터 시트 페이지 3 H11A3FR2VM 데이터 시트 페이지 4 H11A3FR2VM 데이터 시트 페이지 5 H11A3FR2VM 데이터 시트 페이지 6 H11A3FR2VM 데이터 시트 페이지 7 H11A3FR2VM 데이터 시트 페이지 8 H11A3FR2VM 데이터 시트 페이지 9

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H11A1VM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연4170Vrms
전류 전송 비율 (최소)50% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)30V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-40°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

7µs, 20µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

1mA

Vce 포화 (최대)

500mV

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

H11A617BW

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

63% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

125% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

2.4µs, 2.4µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.35V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

TLP185(GR,E)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

300% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

9µs, 9µs

상승 / 하강 시간 (일반)

5µs, 9µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads

공급자 장치 패키지

6-SO, 4 Lead

ACPL-217-50BE

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

130% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

260% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

4-SO

CNY17F1W

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

40% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

80% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

1µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.35V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

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