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H11A3M

H11A3M

참조 용

부품 번호 H11A3M
PNEDA 부품 번호 H11A3M_6B
설명 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,942
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

H11A3M 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11A3M
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11A3M, H11A3M 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 257.75 KB)
PDFH11A3FR2VM 데이터 시트 표지
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H11A3M 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연7500Vpk
전류 전송 비율 (최소)20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)30V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-40°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

6µs, 4µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.18V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

4-SSOP

제조업체

CEL

시리즈

NEPOC

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

300% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.17V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

80mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

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시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

800ns, 800ns (Max)

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.64V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads

공급자 장치 패키지

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H11AA4

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제조업체

Everlight Electronics Co Ltd

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

10µs, 10µs (Max)

상승 / 하강 시간 (일반)

10µs, 10µs (Max)

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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전류 전송 비율 (최대)

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켜기 / 끄기 시간 (일반)

1.5µs, 7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

7V

전류-출력 / 채널

60mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

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