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H11A3

H11A3

참조 용

부품 번호 H11A3
PNEDA 부품 번호 H11A3_190
설명 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
제조업체 Lite-On Inc.
단가
1 ---------- $32.3547
100 ---------- $30.8381
250 ---------- $29.3214
500 ---------- $27.8048
750 ---------- $26.5410
1,000 ---------- $25.2771
재고 있음 61
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H11A3 리소스

브랜드 Lite-On Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11A3
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11A3, H11A3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 194.7 KB)
PDFH11A5 데이터 시트 표지
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H11A3 사양

제조업체Lite-On Inc.
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)-
상승 / 하강 시간 (일반)2.8µs, 4.5µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)30V
전류-출력 / 채널150mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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Vishay Semiconductor Opto Division

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4000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

320% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

4N32SVM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

4170Vrms

전류 전송 비율 (최소)

500% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

5µs, 100µs (Max)

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

150mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

80mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

ILD2-906TWP

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

-

전압-절연

-

전류 전송 비율 (최소)

-

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

-

출력 유형

-

전압-출력 (최대)

-

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

1200% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

10µs, 8µs

상승 / 하강 시간 (일반)

8µs, 8µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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채널 수

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전압-절연

1500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

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입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

100mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

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전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

Vce 포화 (최대)

500mV

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장착 유형

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