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H11A5100

H11A5100

참조 용

부품 번호 H11A5100
PNEDA 부품 번호 H11A5100
설명 OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,534
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

H11A5100 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11A5100
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11A5100, H11A5100 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 210.41 KB)
PDF4N37M_F132 데이터 시트 표지
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H11A5100 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연5300Vrms
전류 전송 비율 (최소)30% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)-
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)30V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)-
전류-DC 순방향 (If) (최대)100mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

300% @ 1.6mA

전류 전송 비율 (최대)

2600% @ 1.6mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

1.6µs, 10µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

7V

전류-출력 / 채널

60mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.4V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

LTV-814HS

Lite-On Inc.

제조업체

Lite-On Inc.

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 100mA

전류 전송 비율 (최대)

80% @ 100mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3µs

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

35V

전류-출력 / 채널

80mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.4V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

150mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-30°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

MOC1193SD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

300% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3.5µs, 95µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

150mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

300% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

2.4µs, 2.4µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

H11AG3W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

5µs, 5µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

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