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H11B255S1(TB)-V

H11B255S1(TB)-V

참조 용

부품 번호 H11B255S1(TB)-V
PNEDA 부품 번호 H11B255S1-TB-V
설명 OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD
제조업체 Everlight Electronics Co Ltd
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H11B255S1(TB)-V 리소스

브랜드 Everlight Electronics Co Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11B255S1(TB)-V
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11B255S1(TB)-V, H11B255S1(TB)-V 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 713.95 KB)
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  • H11B255S1(TB)-V Distributor

H11B255S1(TB)-V 사양

제조업체Everlight Electronics Co Ltd
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)25µs, 18µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Darlington with Base
전압-출력 (최대)55V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)1V
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지6-SMD

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입력 유형

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출력 유형

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전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

30mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

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전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

19% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

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켜기 / 끄기 시간 (일반)

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입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.45V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

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채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

63% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

125% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

6µs, 4µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.35V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.400", 10.16mm)

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제조업체

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시리즈

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채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

200% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 2.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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