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H11B2W

H11B2W

참조 용

부품 번호 H11B2W
PNEDA 부품 번호 H11B2W
설명 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,786
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

H11B2W 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11B2W
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11B2W, H11B2W 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 158.7 KB)
PDFTIL113W 데이터 시트 표지
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H11B2W 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연5300Vrms
전류 전송 비율 (최소)200% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)25µs, 18µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Darlington with Base
전압-출력 (최대)25V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대)100mA
Vce 포화 (최대)1V
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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채널 수

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전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

15% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

1µs, 1µs (Max)

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.68V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

HMHA2801R4V

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

80% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

4-Mini-Flat

PC957L0NSZ

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제조업체

Sharp Microelectronics

시리즈

OPIC™

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

19% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

50% @ 16mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

200ns, 400ns

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.7V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

제조업체

CEL

시리즈

NEPOC

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

80% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

160% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

40mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

4N29S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

5µs, 40µs (Max)

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

150mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

80mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

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