HAT2173HWS-E
참조 용
| 부품 번호 | HAT2173HWS-E |
| PNEDA 부품 번호 | HAT2173HWS-E |
| 설명 | MOSFET N-CH LFPAK-5 |
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,454 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HAT2173HWS-E 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HAT2173HWS-E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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HAT2173HWS-E 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 8V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 12.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 6V @ 20mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 61nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4350pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 30W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 5-LFPAK |
| 패키지 / 케이스 | SC-100, SOT-669 |
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제조업체 IXYS 시리즈 MegaMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 42mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 240nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 540W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-264 (IXTK) 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA |
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19.6nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 691pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 110W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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