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HCT802

HCT802

참조 용

부품 번호 HCT802
PNEDA 부품 번호 HCT802
설명 MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
제조업체 TT Electronics/Optek Technology
단가 견적 요청
재고 있음 7,488
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HCT802 리소스

브랜드 TT Electronics/Optek Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HCT802
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
HCT802, HCT802 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 244.26 KB)
PDFHCT802TX 데이터 시트 표지
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HCT802 사양

제조업체TT Electronics/Optek Technology
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A, 1.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds70pF @ 25V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지6-SMD

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

115nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

870mA, 640mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.74nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60.67pF @ 16V

전력-최대

530mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SOT-563

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Texas Instruments

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1050pF @ 15V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

8-LSON (3.3x3.3)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

55A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 2mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

98nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 1000V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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SP1

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

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