HER306GA-G
참조 용
| 부품 번호 | HER306GA-G |
| PNEDA 부품 번호 | HER306GA-G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AA |
| 제조업체 | Comchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,268 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HER306GA-G 리소스
| 브랜드 | Comchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HER306GA-G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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HER306GA-G 사양
| 제조업체 | Comchip Technology |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 3A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 75ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-201AA, DO-27, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-27 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 200mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 200mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 6ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 2.5pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 작동 온도-접합 -65°C ~ 200°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 975mV @ 10A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지 ITO-220AB 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.28V @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 65pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 270ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
