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HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS

참조 용

부품 번호 HGT1S20N35G3VLS
PNEDA 부품 번호 HGT1S20N35G3VLS
설명 IGBT 380V 20A 150W TO263AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,212
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 6 - 1월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGT1S20N35G3VLS 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGT1S20N35G3VLS
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGT1S20N35G3VLS, HGT1S20N35G3VLS 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 247.24 KB)
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HGT1S20N35G3VLS 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)375V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 5V, 20A
전력-최대150W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지28.7nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/15µs
테스트 조건300V, 10A, 25Ohm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

180µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/91ns

테스트 조건

400V, 10A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

262ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

IRGSL6B60KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

26A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

전력-최대

90W

에너지 전환

110µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/215ns

테스트 조건

400V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

IRG7CH50K10EF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/280ns

테스트 조건

600V, 35A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

IRGR3B60KD2TRP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

15.6A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

전력-최대

52W

에너지 전환

62µJ (on), 39µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/110ns

테스트 조건

400V, 3A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

77ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

112A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.29mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/291ns

테스트 조건

400V, 30A, 11Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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