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HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

참조 용

부품 번호 HGT1S3N60A4DS9A
PNEDA 부품 번호 HGT1S3N60A4DS9A
설명 IGBT 600V 17A 70W D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,930
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGT1S3N60A4DS9A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGT1S3N60A4DS9A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGT1S3N60A4DS9A, HGT1S3N60A4DS9A 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 113.52 KB)
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  • HGT1S3N60A4DS9A Distributor

HGT1S3N60A4DS9A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)17A
전류-수집기 펄스 (Icm)40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 3A
전력-최대70W
에너지 전환37µJ (on), 25µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지21nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C6ns/73ns
테스트 조건390V, 3A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)29ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

600A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 100A

전력-최대

780W

에너지 전환

2.7mJ (on), 6.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

450nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/295ns

테스트 조건

480V, 100A, 1.5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

IRGIB10B60KD1P

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

44W

에너지 전환

156µJ (on), 165µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

41nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/180ns

테스트 조건

400V, 10A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

79ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

IRGBC30S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 18A

전력-최대

100W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRG4BC30UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

380µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/91ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGY100T65SCDT

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

전력-최대

750W

에너지 전환

5.4mJ (on), 3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

157nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

84ns/216ns

테스트 조건

400V, 100A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

62ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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STBB1-APUR

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