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HGTG12N60A4D

HGTG12N60A4D

참조 용

부품 번호 HGTG12N60A4D
PNEDA 부품 번호 HGTG12N60A4D
설명 IGBT 600V 54A 167W TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,284
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGTG12N60A4D 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGTG12N60A4D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGTG12N60A4D, HGTG12N60A4D 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 580.48 KB)
PDFHGT1S12N60A4DS 데이터 시트 표지
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HGTG12N60A4D 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)54A
전류-수집기 펄스 (Icm)96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
전력-최대167W
에너지 전환55µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지78nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C17ns/96ns
테스트 조건390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)30ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

340µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

54ns/180ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

RGC80TSX8RGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1800V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 40A

전력-최대

535W

에너지 전환

1.85mJ (on), 1.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

468nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

80ns/565ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

IRG4BC20FD-S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

250µJ (on), 640µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

43ns/240ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

SGF23N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

전력-최대

75W

에너지 전환

115µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/60ns

테스트 조건

300V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

RGW60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

33A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

72W

에너지 전환

480µJ (on), 490µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/114ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

92ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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