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HIP4082IPZ

HIP4082IPZ

참조 용

부품 번호 HIP4082IPZ
PNEDA 부품 번호 HIP4082IPZ
설명 IC DRIVER FET H-BRIDGE 16DIP
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 165,322
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HIP4082IPZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HIP4082IPZ
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
HIP4082IPZ, HIP4082IPZ 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 687.33 KB)
PDFHIP4082IBZTR5676 데이터 시트 표지
HIP4082IBZTR5676 데이터 시트 페이지 2 HIP4082IBZTR5676 데이터 시트 페이지 3 HIP4082IBZTR5676 데이터 시트 페이지 4 HIP4082IBZTR5676 데이터 시트 페이지 5 HIP4082IBZTR5676 데이터 시트 페이지 6 HIP4082IBZTR5676 데이터 시트 페이지 7 HIP4082IBZTR5676 데이터 시트 페이지 8 HIP4082IBZTR5676 데이터 시트 페이지 9 HIP4082IBZTR5676 데이터 시트 페이지 10 HIP4082IBZTR5676 데이터 시트 페이지 11

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HIP4082IPZ 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수4
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급8.5V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH1V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.4A, 1.3A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)95V
상승 / 하강 시간 (일반)9ns, 9ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지16-PDIP

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제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

990ns, 715ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LTC4440AMPMS8E-5#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 1.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.1A, 1.1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 7ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-EP

NCV5183DR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4.3A, 4.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL89410IBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MAX5063BASA+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 12.6V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

125V

상승 / 하강 시간 (일반)

65ns, 65ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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